Новая уникальная технология дала возможность в 2 раза увеличить интенсивность излучения GaN-светодиода. Прогресс достигнут благодаря формированию двумерного фотонного кристалла на излучающей поверхности оптического устройства методом микросферной литографии.
Комментарии (0)