Баллистическая электронная эмиссионная микроскопия является мощным методом исследования структурных и электронных свойств полупроводниковых структур с барьерами Шоттки и МДП-структур с нанометровом пространственным разрешением. В данной работе методом баллистической электронной эмиссионной микроскопии исследованы электрофизические параметры слоёв HfO2/Si(100) с тонким (0,5 нм) промежуточным слоем SiO2 между HfO2 и Si подложкой, а также МДП-структур на их основе.
Комментарии (0)