Высокоскоростная память на основе УНТ и high-k материалов
Воскресенье, 22 Февраль, 00:02, Нанометр
Недавно финские учёные продемонстрировали память на основе полевого транзистора из УНТ, скорость работы которой 100 нс.
Другие новости от Нанометр
Реклама на проекте
Комментарии (0)