Источником высокотемпературной интерфейсной сверхпроводимости оказался атомарный слой оксида меди
Пятница, 13 Ноябрь, 00:11, elementy.ru
С помощью уникальной установки молекулярно-лучевой эпитаксии американские ученые синтезировали чрезвычайно тонкую двухслойную пленку из металлического La1,56Sr0,44CuO4 и изолятора La2CuO4, не являющихся сверхпроводниками. Полученная гетероструктура вела себя как ВТСП с критической температурой 30 К. Высокотемпературная сверхпроводимость в пленке рождалась в пределах одного слоя оксида меди.
Другие новости от elementy.ru
Реклама на проекте
Комментарии (0)